近来，在第八届国际第三代（IFWS）&第十九届我国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）期间举行的“碳化硅功率集团公司第四十八研讨所、半导体配备研讨部主任巩小亮做了题为“SiC功率器材制作配备技能及展开趋势”的主题陈述。陈述具体介绍了SiC工艺特征及配备需求，SiC中心配备展开现状及趋势以及48所SiC配备工业布局等内容。

  SiC器材外延结构相对简略，器材结构首要经过芯片制作进程完结。典型SiC器材（MOSFET）芯片制作流程中，因为SiC高硬度、高密度等特性，触及多种超高温文高能量工艺，如高温外延、高温注入、高温激活退火、高温栅氧、沟槽刻蚀、碳膜堆积、去碳膜刻蚀等特征工艺。制作配备面对的首要应战则触及超高温工艺要求、高能量加工工艺等要求。

  陈述指出，器材功能和本钱的持续倒逼和规划化出产对配备支撑才能不断提出新要求， 比方要求大尺度、高功率和高产能、低污染等。新工艺和颠覆性技能展开有赖于配备立异，当时，国产配备光刻瓶颈不大，也有特征专用配备和Si基配备根底，有时机捉住年代机会。

  国内第三代半导体工业已构成根本完好的从配备、资料、器材到使用的全生态工业链，国产配备全面起步。在向大尺度、低本钱、高良率的持续展开中，工业有望从“跟跑”走向“并跑”、“领跑”，配备将起到中心支撑效果。

  从典型配备产品展开来看，SiC外延环节，出现出水平、笔直、单片、多片互为竞赛，国产配备起步。SiC高温离子注入机方面，国产配备逐渐占有国内商场干流，出现出细分工艺机台，进步产能和产线运转功率的展开趋势。SiC高温激活退火炉方面，国产配备趋于老练，正加大商场浸透。SiC高温氧化炉方面，国产配备受MOSFET老练度、高温炉管等影响推动相对缓慢。

  关于SiC配备工业布局，巩小亮表明，中电科48地点国内首要开宣布碳化硅器材制作要害配备并逐渐老练，国内仅有全掩盖并成套使用，6英寸机型国内批产使用+订单逾160台套，支撑SiC器材出产企业规划快速上量。依托国家第三代半导体技能立异中心（湖南）渠道，打造原创技能策源地，成为第三代半导体成套配备全国产化解决方案首选供货商。48所将尽力推动国产配备技能水平和使用规划从“跟跑”走向“并跑”并争夺部分“领跑。

  陈述一起指出，SiC作为功率芯片定位，对线宽和集成度的要求低于大规划集成电路，是国产配备规划化使用从泛半导体走向高端的极佳展开渠道。我国电科48所要点环绕SiC全链条展开中心配备开发、迭代与使用，以SiC外延、高温高能离子注入、高温氧化/激活为代表的系列设备完结批量使用，并将构成6-8英寸兼容解决方案；化合物特性和工艺的快速革新式展开和大批量使用要求配备在研制、验证及规划化使用中必须加强工艺协同，以快速推动持续立异和迭代晋级，一起活跃布局原始立异和正向规划；职业重视度已下沉至原资料、零部件、测验仪器、工业软件等更为根底的范畴，需求活跃构建强壮而健康的生态链协同展开。

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